[发明专利]具有增强灵敏度的压力传感器无效

专利信息
申请号: 200780011746.0 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101416038A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: C·E·斯图尔特;P·G·汉库克 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王丹昕
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 不能节省成本地制造具有足够大的全刻度输出以对接控制电子装置的硅压敏电阻器低压力传感器。产生足够的跨度所需的隔膜的尺寸以及由此的管芯的尺寸使得管芯的成本得到抑制。同时,以通常的一系列的半导体处理步骤形成晶体管和复合隔膜提供了紧密邻近的传感元件和放大元件。晶体管可被构造为放大由位于复合隔膜的压敏电阻器产生的电压或电流以产生足够大的输出以与控制电子装置对接。同样地,较小的管芯结果产生节省成本的传感器。
搜索关键词: 具有 增强 灵敏度 压力传感器
【主权项】:
1、一种方法,包括:获得包括顶部和底部的衬底;在顶部中形成扩散区;在顶部上形成外延层使得扩散区扩展到外延层中;形成结隔离以在扩散区的至少一个上产生至少一个晶体管区;在晶体管区的至少一个中形成至少一个双极性晶体管,其中,每个双极性晶体管包括基极、发射极和集电极;以及蚀刻背面以形成复合隔膜,由此同时产生晶体管和复合隔膜。
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