[发明专利]动态存储器单元结构无效
| 申请号： | 200780011899.5 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101438400A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲;陆荣坚 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/84;G11C8/16;G11C11/405;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 安之斐 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 动态随机存取存储器单元包括电容存储器件和写存取晶体管。写存取晶体管可操作地耦合到电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体(424)和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极(422)，其中高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种动态随机存取存储器单元，包括：电容存储器件；和写存取晶体管，所述写存取晶体管可操作地耦合到所述电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极，其中所述高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
