[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 200780012035.5 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101416290A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;村濑康裕;大田一树;分岛彰男;黑田尚孝 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L21/28;H01L29/812;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种场效应晶体管，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层，所述载流子供应层提供在所述沟道层的上方并且包括至少一个p型层；以及源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、漏电极和栅电极被设置成通过所述p型层面向所述沟道层，并提供在所述载流子供应层的上方，其中，满足下面的关系表达式：[数学公式1]5. 6×1011x
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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