[发明专利]包含电阻切换氧化物或氮化物及抗熔丝的非易失性可重写存储器单元有效
| 申请号： | 200780012107.6 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101416252A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·朔伊尔莱因 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种存储器单元，所述存储器单元包含以电性串联方式布置的介电熔断抗熔丝与电阻切换材料层，其中所述电阻切换材料是金属氧化物或氮化物化合物，所述化合物仅包括一种金属。在预调节步骤中熔断所述介电熔断抗熔丝，形成穿过所述抗熔丝的熔断区。所述熔断区提供窄导电路径，用以限制流向所述电阻切换材料的电流，且改善所述电阻切换层在较高与较低电阻状态间切换时的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 电阻 切换 氧化物 氮化物 抗熔丝 非易失性可 重写 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储器单元，其包含：电阻切换元件，其包含电阻切换金属氧化物或氮化物化合物的层，所述金属氧化物或氮化物化合物仅包括一种金属；及介电熔断抗熔丝。
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