[发明专利]使膜层紧密及改善间隙填充效果的多步骤硬化膜层方法无效
| 申请号： | 200780012289.7 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101416296A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | N·K·英格尔;袁正;V·班西亚;夏欣筠;H·J·L·福斯特纳;潘容 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种将基材退火的方法，该基材具有含有介电质材料的沟渠，该介电质材料形成于该介电质材料与该基材之间的氮化硅层上，其中该方法包括：在包含有含氧气体的第一大气下，将该基材退火于约800℃或更高的第一温度；以及在缺乏氧的第二大气下，将该基材退火于约800-1400℃的第二温度。 | ||
| 搜索关键词： | 使膜层 紧密 改善 间隙 填充 效果 步骤 硬化 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种将基材退火的方法，该基材包含含有介电质材料的沟渠，该方法至少包含：在包含有含氧气体的第一大气下，将该基材于约800℃或更高的第一温度下退火；以及在缺乏氧的第二大气下，将该基材于约800-1400℃的第二温度下退火，其中氮化硅层位于该沟渠中该介电质材料下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780012289.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多级半色调网屏和其组
- 下一篇：包覆超塑性合金
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
