[发明专利]半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯有效

专利信息
申请号: 200780012668.6 申请日: 2007-04-13
公开(公告)号: CN101421854A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 塙健三;横山泰典 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;田 欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段,本发明的特征是制造一种半导体发光元件(1),所述半导体发光元件(1)是在基板(11)上层叠有n型半导体层(13)、发光层(14)和p型半导体层(15),在p型半导体层(15)上层叠有透光性正极(16),同时在该透光性正极(16)上设有正极焊盘(17),在所述n型半导体层(13)上设有负极焊盘18的半导体发光元件。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 制造 方法 具备
【主权项】:
1. 一种半导体发光元件的制造方法,是制造在基板上层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层,在p型半导体层上层叠有透光性正极,同时在该透光性正极上设有正极焊盘,在所述n型半导体层上设有负极焊盘的半导体发光元件的方法,其特征在于,在氧少于化学计量组成的状态下在所述p型半导体层上形成透光性氧化物导电材料的透光性正极后,在含氧气氛中进行退火处理,然后在无氧气氛中进行再退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780012668.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top