[发明专利]半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯有效
申请号: | 200780012668.6 | 申请日: | 2007-04-13 |
公开(公告)号: | CN101421854A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 塙健三;横山泰典 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田 欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段,本发明的特征是制造一种半导体发光元件(1),所述半导体发光元件(1)是在基板(11)上层叠有n型半导体层(13)、发光层(14)和p型半导体层(15),在p型半导体层(15)上层叠有透光性正极(16),同时在该透光性正极(16)上设有正极焊盘(17),在所述n型半导体层(13)上设有负极焊盘18的半导体发光元件。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 制造 方法 具备 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体发光元件的制造方法,是制造在基板上层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层,在p型半导体层上层叠有透光性正极,同时在该透光性正极上设有正极焊盘,在所述n型半导体层上设有负极焊盘的半导体发光元件的方法,其特征在于,在氧少于化学计量组成的状态下在所述p型半导体层上形成透光性氧化物导电材料的透光性正极后,在含氧气氛中进行退火处理,然后在无氧气氛中进行再退火处理。
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