[发明专利]制造金属氧化物薄片的方法无效
| 申请号： | 200780012969.9 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101421360A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | R·熊;P·巴贾德 | 申请（专利权）人： | 西巴控股有限公司 |
| 主分类号： | C09C1/00 | 分类号： | C09C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;范 赤 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备包含至少一种电介质层的平行平面结构(片状体或者薄片)的方法，所述的电介质层由选自元素周期表第3-15族的一种或多种金属的氧化物组成，该方法包括：(a)任选地将剥离材料层施用到基底上，(b)将含有一种或多种期望的金属氧化物的一种或多种前体的组合物施用到所述的剥离层上，或者直接施用到不带有剥离材料层的基底上，(c)使该一种或多种期望的金属氧化物的一种或多种前体经受微波辐射来在基底上或者在剥离材料层上形成金属氧化物层；和(d)从基底上分离所形成的金属氧化物层来作为平行平面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 氧化物 薄片 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备包含至少一种电介质层的平行平面结构的方法，所述的电介质层由选自元素周期表第3-15族的一种或多种金属的氧化物组成，该方法包括：(a)任选地将剥离材料层施用到基底上，(b)将含有一种或多种期望的金属氧化物的一种或多种前体的组合物施用到所述的剥离层上，或者直接施用到不带有剥离材料层的基底上，(c)使该一种或多种期望的金属氧化物的一种或多种前体经受微波辐射来在基底上或者在剥离材料层上形成金属氧化物层；和(d)从基底上分离所形成的金属氧化物层来作为平行平面结构。
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