[发明专利]包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理

摘要

通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后，在灰化反应器中，通过将工件加热超过100℃来去除聚合物和光刻胶，露出所述工件的背侧的外围部分，并提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原在聚合物和光刻胶中包含的碳，直到聚合物已经从所述工件的背侧去除。处理气体优选包含氢气体和水蒸气两者，不过主要成分是氢气体。晶片(工件)背侧可以通过延伸晶片升降销露出。

主权项

1. 一种等离子体蚀刻处理，包括：提供具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层的工件；在所述工件的表面上限定光刻胶；在蚀刻反应器中：在所述工件上执行氟碳基蚀刻处理，以蚀刻所述电介质层的露出部分，同时在所述光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物；将所述工件转移到灰化反应器中，并在所述灰化反应器中：将所述工件加热超过100℃；露出所述工件的背侧的外围部分；并且提供来自氢处理气体的等离子体的产品以在所述工件上还原聚合物合格光刻胶，直到所述聚合物已经从所述工件的背侧去除。