[发明专利]太阳电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种用于接触含有一层或者多层温度敏感钝化层的太阳晶片的方法，其通过首先在钝化层中产生局部开口并且然后利用导电材料填充该开口。以此方式，能够避免在用于接触含有一个或者多个钝化层的太阳晶片的传统方法中需要的相对的高温度，并且因此在接触期间和在解除期间之后保持新研制出来的温度敏感钝化层的优良钝化性质。

主权项

1. 一种用于接触金属半导体晶片的方法，其中所述晶片具有-在所述晶片一侧上的具有一种导电类型(p-或者n-型)的至少一个薄扩散层，并且整体所述晶片具有另一种导电类型(n-或者p-型)，以及-在第一(光线接收侧)或者第二(后侧)表面的至少一个上沉积的至少一个表面钝化层/膜，其特征在于-通过局部地移除所述至少一个钝化层以暴露出下面的所述半导体晶片的表面从而在所述至少一个钝化层中产生至少一个开口，从而形成接触部位，并且然后-通过以抗UV光并且能在至少高达大约150到250℃的温度下发挥作用的导电材料填充所述至少一个钝化层中的所述至少一个开口而与所述半导体晶片建立电接触。