[发明专利]具有双层钝化的晶体管及方法有效

专利信息
申请号: 200780013228.2 申请日: 2007-03-12
公开(公告)号: CN101427379A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 布鲁斯·M·格林;哈尔丹·S·亨利 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘光明;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种具有双钝化层(56,59)的半导体器件(61)和方法(80-89,100)。半导体层(34)形成在衬底(32)上且被第一钝化层(PL-1)(56)覆盖。PL-1(56)和半导体层(34)的部分(341)被蚀刻以形成器件台(35)。第二钝化层(PL-2)(59)形成在PL-1(56)和台(35)暴露出的边缘(44)上方。穿过PL-1(56)和PL-2(59)蚀刻通孔(90,92,93)至将要形成源极(40)、漏极(42)和栅极的半导体层(34)。在通孔(90,92,93)中施加导体(41,43,39)用于源极-漏极(40,42)的欧姆接触和栅极的肖特基接触(39)。在台(35)的边缘(44)上方的互联(45,47)耦合其他的电路元件。PL-1(56)避免了在栅极附近的不利的表面态(52),PL-2(59)将台(35)的边缘(44)与上覆的互联(45,47)绝缘,以避免泄漏电流(46)。期望与器件(61)同时形成不透明的对准标记(68),以当使用透明的半导体(34)时便于对准。
搜索关键词: 具有 双层 钝化 晶体管 方法
【主权项】:
1. 一种形成半导体器件的方法,包括:提供具有主表面的衬底;在衬底的所述主表面上形成半导体层,其中所述半导体层具有外表面;在所述外表面上提供第一钝化层;局部蚀刻部分的所述第一钝化层和所述半导体层,以在所述主表面上方形成器件台,其中所述器件台具有仍被所述第一钝化层覆盖的上表面和其暴露出的横向边缘;至少在所述器件台的上表面上的第一钝化层和所述器件台暴露出的横向边缘的上方形成第二钝化层;提供穿过所述第一和第二钝化层至所述器件台上的半导体层的上表面的源极—漏极和栅极通孔;以及在通孔中形成导体以便提供与所述源极—漏极通孔中的半导体的欧姆接触以及与所述栅极通孔中的半导体的肖特基接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780013228.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code