[发明专利]具有双层钝化的晶体管及方法有效
申请号: | 200780013228.2 | 申请日: | 2007-03-12 |
公开(公告)号: | CN101427379A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 布鲁斯·M·格林;哈尔丹·S·亨利 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种具有双钝化层(56,59)的半导体器件(61)和方法(80-89,100)。半导体层(34)形成在衬底(32)上且被第一钝化层(PL-1)(56)覆盖。PL-1(56)和半导体层(34)的部分(341)被蚀刻以形成器件台(35)。第二钝化层(PL-2)(59)形成在PL-1(56)和台(35)暴露出的边缘(44)上方。穿过PL-1(56)和PL-2(59)蚀刻通孔(90,92,93)至将要形成源极(40)、漏极(42)和栅极的半导体层(34)。在通孔(90,92,93)中施加导体(41,43,39)用于源极-漏极(40,42)的欧姆接触和栅极的肖特基接触(39)。在台(35)的边缘(44)上方的互联(45,47)耦合其他的电路元件。PL-1(56)避免了在栅极附近的不利的表面态(52),PL-2(59)将台(35)的边缘(44)与上覆的互联(45,47)绝缘,以避免泄漏电流(46)。期望与器件(61)同时形成不透明的对准标记(68),以当使用透明的半导体(34)时便于对准。 | ||
搜索关键词: | 具有 双层 钝化 晶体管 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种形成半导体器件的方法,包括:提供具有主表面的衬底;在衬底的所述主表面上形成半导体层,其中所述半导体层具有外表面;在所述外表面上提供第一钝化层;局部蚀刻部分的所述第一钝化层和所述半导体层,以在所述主表面上方形成器件台,其中所述器件台具有仍被所述第一钝化层覆盖的上表面和其暴露出的横向边缘;至少在所述器件台的上表面上的第一钝化层和所述器件台暴露出的横向边缘的上方形成第二钝化层;提供穿过所述第一和第二钝化层至所述器件台上的半导体层的上表面的源极—漏极和栅极通孔;以及在通孔中形成导体以便提供与所述源极—漏极通孔中的半导体的欧姆接触以及与所述栅极通孔中的半导体的肖特基接触。
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