[发明专利]膜生长期间的特性改变无效
| 申请号： | 200780013589.7 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101501243A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | W·J·沙夫;陈晓东 | 申请（专利权）人： | 康乃尔研究基金会有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟守期;唐铁军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将诸如InGaN的材料的生长表面曝光于一个被定向至受控位置的小直径的激光束下，所述定向例如通过扫描反射镜。在曝光位置上，材料的特征可被改变。一个实施方案中，在发生激光曝光之处，选定材料的摩尔分数被降低。一个实施方案中，材料在MBE或CVD腔中生长。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 期间 特性 改变 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括使用分子束外延或化学气相沉积法生长一个层；并在所述层正在形成时将其选定部分曝光于辐射下。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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