[发明专利]像差评估图案、像差评估方法、像差校正方法、电子束描绘设备、电子显微镜、原盘、压模、记录介质和结构有效
申请号: | 200780013594.8 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101421823A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 宫田弘幸;宫崎武司;小林一彦;林国人 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光;株式会社克莱斯泰克 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G01N1/00;G03F7/20;H01J37/153;H01J37/28;H01J37/305 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王 冉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种照射电子束的照射系统的像散的评估方法。在该方法中,由多个(例如四个)同心圆组成的图形图案形成于参考样品WP上,且基于通过将该电子束扫描在参考样品WP上得到的电子信号而形成图像(扫描图像)。在该扫描图像中,图像在纵向平行于像散发生方向的区域内具有模糊,且该模糊的大小取决于像散的大小。因此,基于得到的扫描图像可以检测照射设备的照射系统的像散的方向和大小。 | ||
搜索关键词: | 评估 图案 方法 校正 电子束 描绘 设备 电子显微镜 压模 记录 介质 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种用于评估照射系统的像差的像差评估图案,所述照射系统通过偏转电子束而将电子束扫描在样品表面上,所述像差评估图案包括:具有规定的线宽度以及线之间的规定间隔的周期性结构,所述周期性结构设置于同一平面内且从一中心向外形成,所述中心为当电子束不偏转时所述电子束的照射位置,所述周期性结构形成为绕所述中心的外围延伸360度且具有同心圆图形或者螺旋图形,所述同心圆图形或者螺旋图形的中心置位于为当电子束不偏转时所述电子束的照射位置的所述中心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造