[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件有效
| 申请号： | 200780013655.0 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101421443A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 弘田龙;上松康二;川濑智博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/208;C30B19/12;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了体III族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的III族氮化物晶体制造方法包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底(1)的步骤，III族氮化物籽晶具有基体(1s)和反转域(1t)，在反转域中，<0001>方向的极性相对于基体(1s)而被反转；通过液相法而在衬底(1)的基体(1s)和反转域(1t)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤；其特征在于，第一区域(10s)覆盖第二区域(10t)，其中，在第一区域(10s)中，生长到基体(1s)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较大，在第二区域(10t)中，生长到反转域(1t)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较小。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体 制造 方法 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种III族氮化物晶体的制造方法，包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底的步骤，所述III族氮化物籽晶具有基体和反转域，在所述反转域中，<0001>方向的极性相对于所述基体而被反转；以及通过液相法在所述下衬底的所述基体和所述反转域之上生长III族氮化物晶体的步骤；其特征在于：第一区域覆盖第二区域，在所述第一区域中，在所述基体之上生长的III族氮化物晶体的生长速率较大，在所述第二区域中，在所述反转域之上生长的III族氮化物晶体的生长速率较小。
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