[发明专利]MEMS器件无效
| 申请号： | 200780013818.5 | 申请日： | 2007-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101426718A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | R·I·拉明;A·特雷纳 | 申请（专利权）人： | 沃福森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑建晖;杨 勇 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种在衬底上制造微机电系统(MEMS)装置的方法，包括步骤：处理衬底(10)以便制作电子电路(11)；沉积可操作地与所述电子电路(11)耦合的第一电极(15)；沉积薄膜(16)，使其机械耦合至所述第一电极(15)；施加牺牲层(50)；沉积结构层(18)以及可操作地与所述电子电路(11)耦合的第二电极(17)，使得所述牺牲层(50)安置在所述薄膜(16)和所述结构层(18)之间从而形成初步结构；单元化所述衬底(10)；以及去除所述牺牲层(50)从而形成MEMS结构，其中单元化所述衬底(10)的步骤在去除所述牺牲层(50)的步骤之前进行。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底(10)上制作微机电系统(MEMS)装置的方法，该方法包括以下步骤：处理所述衬底(10)以便制作电子电路(11)；沉积可操作地与所述电路(11)耦合的第一电极(15)；沉积薄膜(16)使其机械耦合至所述第一电极(15)；施加牺牲层(50)；沉积结构层(18)以及可操作地与所述电子电路(11)耦合的第二电极(17)，这样所述牺牲层(50)被放置在所述薄膜(16)和所述结构层(18)之间从而形成初步结构；单元化该衬底(10)；以及去除所述牺牲层(50)从而形成MEMS结构，其中单元化所述衬底(10)的步骤在去除所述牺牲层(50)的步骤之前进行。
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