[发明专利]工件夹具及引线接合装置有效
| 申请号： | 200780014042.9 | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101427359A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 神藤力;吉野秀纪;久岛真美 | 申请（专利权）人： | 株式会社海上 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供即使减少氧化抑制气体的使用量，也能够充分地抑制接合区域的氧化的工件夹具及引线接合装置。本发明的工件夹具的特征在于，具备：形成氧化抑制气体的气氛的内部中空部(10)；设于所述内部中空部的下方，用于向所述内部中空部放入所述接合区域的下部开口部(11a)；设于所述内部中空部的上方，使所述接合区域露出的上部开口部(11)；覆盖所述内部中空部，且具有比所述上部开口部的开口面积广的腔室(13)；设于所述腔室，向所述腔室导入所述氧化抑制气体的气体导入口(14a)、(14b)；与所述腔室的下方连接，将从所述气体导入口导入的所述氧化抑制气体向所述工件的接合区域以外的部分喷射的孔(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 工件 夹具 引线 接合 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种工件夹具，其用于引线接合装置，所述工件夹具的特征在于，具备：内部中空部，其在对工件的接合区域进行接合时，形成氧化抑制气体的气氛；下部开口部，其设于所述内部中空部的下方，用于向所述内部中空部放入所述接合区域；上部开口部，其设于所述内部中空部的上方，使所述接合区域露出；腔室，其覆盖所述内部中空部，且具有比所述上部开口部的开口面积广的面积；气体导入口，其设于所述腔室，向所述腔室导入所述氧化抑制气体；孔，其与所述腔室的下方连接，将从所述气体导入口导入的所述氧化抑制气体向所述工件的接合区域以外的部分喷射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
