[发明专利]含有带甲硅烷基乙炔基基团的并苯-噻吩共聚物的电子器件有效
| 申请号： | 200780014279.7 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101427381B | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱培旺;丹尼斯·E·沃格尔;李子成;克里斯托弗·P·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C08G61/12;C08G81/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郇春艳;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了包含并苯-噻吩共聚物的电子器件和制造这种电子器件的方法。更具体地讲，所述并苯-噻吩共聚物具有连接的甲硅烷基乙炔基基团。所述共聚物可用于(例如)半导体层中或布置在第一电极和第二电极之间的层中。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 硅烷 乙炔 基团 噻吩 共聚物 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包含：a)共聚物层，所述共聚物层包含化学式I的并苯-噻吩共聚物，![]()
其中Ac为具有2至5个稠合苯环的并苯基，其中Ac可以任选由选自烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、杂烷基、链烯基或它们的组合的取代基取代；Ra各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、链烯基、芳基、杂芳基、芳烷基、杂芳烷基、杂烷基或羟烷基；Q是化学式II、III、IV或V的二价基团；![]()
R1和R2各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、硫代烷基、芳基、芳烷基、卤素、卤代烷基、羟烷基、杂烷基或链烯基；以及n为大于或等于4的整数；和b)相邻于所述共聚物层的第一层，所述第一层包括导电层或介电层。
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