[发明专利]磁传感器装置的校准无效
| 申请号： | 200780014590.1 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101427157A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·A·H·M·卡尔曼;M·W·J·普林斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01V13/00 | 分类号： | G01V13/00;G01R33/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器装置的校准，该磁传感器装置包括磁性激励导线(11，13)和磁传感器元件，该磁传感器元件例如是GMR传感器(12)，用于测量磁性颗粒(2)响应于激励导线产生的激励场(B1)而产生的反应场(B2)。可以通过用磁性校准场(B3)使磁性颗粒(2)饱和来校准磁传感器元件(12)。这样，能够在不干扰磁性颗粒(2)的贡献的情况下确定激励场(B1)在磁传感器元件(12)上的直接(串扰)作用。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 校准 | ||
【主权项】：
1、一种用于检测研究区中的磁性颗粒(2)的磁传感器装置(10)，包括：a)至少一个用于在所述研究区中产生磁性激励场(B1)的磁性激励场发生器(11，13)；b)至少一个用于在所述研究区中产生磁性校准场(B3)的磁性校准场发生器(15)，所述磁性校准场(B3)至少临时具有足够大的强度以改变所述研究区中的磁性颗粒(2)的磁化特性；c)至少一个磁传感器元件(12)，用于对由所述研究区中的磁性颗粒(2)响应于所述磁性激励场(B1)和/或所述磁性校准场(B3)而产生的磁性反应场(B2)进行测量；d)评估单元(16)，用于基于测量来校准所述磁传感器元件(12)，在所述测量期间，所述研究区中存在磁性激励场(B1)和/或磁性校准场(B3)和磁性颗粒(2)。
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