[发明专利]高性能3D FET结构及其使用择优晶体蚀刻的形成方法有效
申请号: | 200780014681.5 | 申请日: | 2007-04-25 |
公开(公告)号: | CN101427374A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | T·W·戴耶;H·S·杨 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/01;H01L29/00;H01L29/04;H01L31/036 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于 静;李 峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及高性能三维(3D)场效应晶体管(FET)。具体而言,可以使用具有沿第一组等价晶面中的一个晶面取向的底表面和沿不同的第二组等价晶面取向的多个附加表面的3D半导体结构形成具有沿所述不同的第二组等价晶面取向的载流子沟道的高性能3D FET。更重要地,可以容易地在具有附加3D半导体结构的同一半导体衬底上形成这样的3D半导体结构,所述附加3D半导体结构具有均沿所述第一组等价晶面取向的底表面和多个附加表面。所述附加3D半导体结构可以用于形成附加3D FET,所述附加3D FET与上述3D FET互补并具有沿所述第一组等价晶面取向的载流子沟道。 | ||
搜索关键词: | 性能 fet 结构 及其 使用 择优 晶体 蚀刻 形成 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包括具有位于其上的三维(3D)半导体结构的衬底,所述三维半导体结构具有直接与所述衬底的上表面接触的底表面和不与所述衬底接触的多个附加表面,其中所述3D半导体结构的所述底表面沿第一组等价晶面中的一个晶面取向,并且所述3D半导体结构的所述多个附加表面沿不同的第二组等价晶面取向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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