[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质无效
| 申请号： | 200780014788.X | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101432459A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 佐久间隆;横山敦;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种成膜方法，其特征在于，包括：将表面形成有凹部的被处理体载置于设置在能够抽真空的处理容器的内部的载置台上的工序；在所述处理容器的内部产生等离子体的工序；在所述处理容器的内部，通过所述等离子体使金属靶离子化并生成金属离子的工序；向所述载置台供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将所述金属离子引至载置在所述载置台上的所述被处理体，由此，在包括所述凹部内的表面的所述被处理体的表面上形成薄膜的工序；和使所述偏置电力的大小在所述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化的工序。
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