[发明专利]用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法无效
| 申请号： | 200780015069.X | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101495325A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | R·D·贝纳西 | 申请（专利权）人： | 斯特拉斯保 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇 炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在抛光置于晶片(4)上的材料层时测量所述层的厚度改变的系统(10)和方法。光(28)从置于抛光衬垫(3)内的内置光传感器(25)指向晶片(4)表面，并且数据信号无线地发送(34)至控制系统(31)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 抛光 测量 特性 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在抛光晶片时测量所述晶片的特性中的改变的系统，所述系统包括：适于抛光所述晶片的抛光衬垫；置于所述衬垫内的光源；置于所述衬垫内的光探测器；置于所述衬垫内的无线发送器；以及置于所述衬垫内的传感器控制系统，所述传感器控制系统连接至所述光源、所述光探测器和所述无线发送器。
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