[发明专利]具有降低的卤化物含量的烷氧基硅烷的制备方法有效
| 申请号： | 200780015951.4 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101437830A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | S·P·弗古森;W·X·巴加扎;E·B·奥杜恩拉米 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/20 | 分类号： | C07F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张 钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了降低烷氧基硅烷内残留的卤化物含量的方法。该方法包括使具有残留的卤化物含量的烷氧基硅烷与活性炭接触，接着分离烷氧基硅烷。所得材料可用作制备其他化合物的中间体和在电子应用中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 卤化物 含量 烷氧基 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备具有降低的卤化物含量的烷氧基硅烷的方法，该方法包括：(a)使含用化学式RaHbSi(OR1)(4-a-b)表示的烷氧基硅烷和残留的卤化物的混合物与活性炭接触，其中每一R独立地选自含1-约20个碳原子的取代和未取代的烃基，每一R1独立地选自含1-4个碳原子的烃基，a＝0、1、2或3，b＝0、1、2或3，和a+b＝0-3；和(b)分离烷氧基硅烷与活性炭。
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