[发明专利]在基于氧化锡的半导体陶瓷中使用B2O3以减小其中的漏电流并可稳定其电性能无效
| 申请号： | 200780016263.X | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101536120A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | M·哈桑扎德;R·普亚那;J·莫雷尔;R·梅斯 | 申请（专利权）人： | 阿雷瓦T&D股份公司 |
| 主分类号： | H01C7/112 | 分类号： | H01C7/112 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 苗 征;于 辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本申请涉及在半导体陶瓷中使用B2O3以减小漏电流并可稳定所述半导体陶瓷的电性能，所述半导体陶瓷包含至少一种基于氧化锡的金属氧化物和至少一种掺杂剂金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 半导体 陶瓷 使用 sub 减小 中的 漏电 稳定 性能 | ||
【主权项】：
1. B2O3用于半导体陶瓷中以减小所述半导体材料的漏电流的用途，所述半导体陶瓷包含氧化锡SnO2作为基体金属氧化物和至少一种掺杂剂金属氧化物。
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