[发明专利]用于擦除内存器件的方法以及多级程序化内存器件有效
| 申请号： | 200780016294.5 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101438351A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | W·张;M·丁 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种内存(150)，包含第一电荷储存区域(164A)，其系通过隔离区域(170)而与第二电荷储存区域(164B)隔开。提供用于擦除内存(150)的技术，其中，电子以富勒-诺得汉(Fowler-Nordheim；FN)隧穿方式穿出至少一个之电荷储存区域(164A)、(164B)而进入衬底(154)内，以擦除内存(150)的至少一个电荷储存区域。提供其它的技术，用于在多种不同阶(level)或状态下程序化单一的电荷储存区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 擦除 内存 器件 方法 以及 多级 程序化 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：提供内存(150)，该内存(150)包括第一电荷储存区域(164A)，该第一电荷储存区域(164A)通过隔离区域(170)而与第二电荷储存区域(164B)隔开；以及使电子以富勒-诺得汉(FN)隧穿方式穿出至少一个电荷储存区域(164A、164B)进入到衬底(154)中，以擦除该至少一个电荷储存区域。
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