[发明专利]制造真空开关的铜铬触点的方法及其开关触点有效

专利信息
申请号: 200780016675.3 申请日: 2007-05-08
公开(公告)号: CN101460640A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 沃纳·哈特曼;罗曼·兰兹;安德烈亚斯·斯特尔泽 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;H01H33/66;B22D11/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 任 宇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 由于在铜-铬相图中的混合间隙,必要时通过快速过冷却在高温下熔融的合金可以产生均质合金。因此,为了进一步加工成触点而产生高的费用。根据本发明,如下地制造用于真空开关的铜-铬触点,即,在浇铸或喷射方法之后接着用快速冷却来产生薄的铜-铬片而作为触点的原材料。通过在制造中的合适的过程控制可以在带(50)中垂直于带方向调整浓度分布,因为铬尤其以Cr微粒或微滴(Cr)的形式在表面扩散。
搜索关键词: 制造 真空开关 触点 方法 及其 开关
【主权项】:
1. 一种由铜和铬制成的、用作真空开关的开关触点的触点的制造方法,其中,通过将CuCr熔炼材料快速冷却到室温而在非热力学平衡下设置预定的铬浓度,该方法具有以下步骤:-借助浇铸方法用快速冷却产生由铜和铬制成的带或薄片作为所述开关触点的原材料,-从所述带或片中冲压出触点表层,以及-将所述冲压件固定在触点支承上。
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