[发明专利]含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池有效
| 申请号： | 200780016817.6 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101495666A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 长濑隆一;梶谷芳男 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01M4/04;H01M4/58;H01M10/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，并且烧结体的相对密度为90％以上、平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下；以及，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满足下述(1)和(2)的条件：(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下；(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。本发明提供用于形成三维电池、全固体电池等薄膜电池中使用的薄膜正极的最佳含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池。本发明的课题特别在于得到能够形成均匀性优良的薄膜的正极材料靶。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 氧化物 及其 制造 方法 以及 锂离子 薄膜 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种含锂过渡金属氧化物靶，其由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构成，其中，烧结体的相对密度为90％以上，平均结晶粒径为1μm以上、50μm以下。
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