[发明专利]半导体陶瓷组分及其生产方法

摘要

公开了一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其中BaTiO₃中的部分Ba被用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组分的特征在于，将居里温度改变至正向，而不使用Pb，以及大大地降低室温下的电阻率。还公开了一种用于制造该半导体陶瓷组分的方法。特别地公开了一种由组分公式[(BiNa)_xBa_1-x]TiO₃表示的半导体陶瓷组分，其中x满足0＜x≤0.3。通过分开地制备不包含半导体掺杂剂的BaTiO₃煅烧粉末和(BiNa)TiO₃煅烧粉末，将煅烧粉末混合在一起、然后粉碎并成形该混合物，最后在具有1％或更低氧浓度的惰性气体气氛中烧结所得物质，获得所述的半导体陶瓷组分。

主权项

1. 一种用于制造其中BaTiO3中的部分Ba用Bi-Na代替的半导体陶瓷组分的方法，该方法包括，制备BaTiO3的煅烧粉末的步骤、制备(BiNa)TiO3的煅烧粉末的步骤、混合BaTiO3的煅烧粉末和(BiNa)TiO3的煅烧粉末的步骤、以及成形并烧结所述混合的煅烧粉末的步骤。