[发明专利]制备用于薄膜太阳能电池制造及其相应装置的前体膜和化合物层的技术无效
申请号: | 200780017097.5 | 申请日: | 2007-03-07 |
公开(公告)号: | CN101443920A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | B·巴索尔 | 申请(专利权)人: | 索洛动力公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L29/04;H01L21/00;H01L29/06;H01L21/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明以不同实施方案有利地提供了改善的接触层或成核层,在这些层上方前体和IBIIIAVIA族化合物薄膜附着良好并且形成具有优异微观组成均匀性的高品质层。还提供了形成前体叠层的方法,该方法通过湿法沉积技术例如电镀来进行,在形成叠层的不同层的沉积顺序方面具有大的自由度。 | ||
搜索关键词: | 制备 用于 薄膜 太阳能电池 制造 及其 相应 装置 前体膜 化合物 技术 | ||
【主权项】:
1. 薄膜太阳能电池,其包含:片状衬底;置于该片状衬底上方的导电层;置于该导电层上方的吸收层,其中该吸收层包括至少一种IB族材料、至少一种IIIA族材料和至少一种VIA族材料;和置于该吸收层上方的附加层,其中导电层和附加层之一包括Ru、Os和Ir中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的