[发明专利]SOI晶片的评价方法有效
| 申请号： | 200780017175.1 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101443913A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 吉田和彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片(至少在绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层)的上述埋入扩散层的薄片电阻的方法，具备：测定步骤，此测定步骤是测定上述SOI层整体或是上述SOI晶片整体的薄片电阻；及估计步骤，此估计步骤是根据将上述薄片电阻测定的测定结果当作是构成上述SOI晶片的各层各自并列连接而成的电阻，并进行换算来估计上述埋入扩散层的薄片电阻。借此，能够提供一种SOI晶片的评价方法，不必制造监控晶片而能够直接测定成为制品的SOI晶片来评价埋入扩散层的薄片电阻。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 评价 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片的埋入扩散层的薄片电阻的方法，该SOI晶片至少在其绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层，该评价方法的特征是具备：测定步骤，此测定步骤是测定上述SOI层整体或是上述SOI晶片整体的薄片电阻；及估计步骤，此估计步骤是根据将该薄片电阻测定的测定结果当作是构成上述SOI晶片的各层各自并列连接而成的电阻，并进行换算来估计上述埋入扩散层的薄片电阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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