[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化有效
| 申请号： | 200780017243.4 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101443889A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·旺格;贾森·奥伊;凯尔·特里尔;陈阔因 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨 梧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结构，优选地包括形成在基板中的半导体器件；邻接于半导体器件的绝缘体；电耦合于半导体器件的电触点，其中，电触点优选地包括钨；以及，耦合于电触点的电连接器，其中，电连接器优选地包括铝。绝缘体的表面和电触点的表面优选地形成基本平坦的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 触点 金属化 | ||
【主权项】：
1. 一种制造包括半导体器件的结构的方法，所述方法包括：在包括绝缘体和邻接于所述绝缘体的接触区的不平坦的表面上沉积第一金属化层；以及蚀刻所述第一金属化层，以在所述接触区中形成电触点，其中，所述绝缘体的表面和所述电触点的表面形成基本平齐的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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