[发明专利]模块化化学气相沉积（CVD）反应器无效
| 申请号： | 200780017561.0 | 申请日： | 2007-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101443475A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | B·H·伯罗斯;C·R·梅茨纳;D·L·笛玛斯;R·N·安德森;J·M·查新;D·K·卡尔森;D·M·石川;J·坎贝尔;R·O·柯林斯;K·M·马吉尔;I·阿夫扎尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于处理半导体基板的装置。具体地，本发明提供一种模块化处理单元。本发明的模块化半导体处理单元包括具有注入盖(213)的腔室(201)，以及被配置成通过注入盖将一种或多种处理气体提供至腔室的气体面板模块(207)，其中气体面板模块(207)邻近注入盖放置。处理单元进一步包括置于腔室下方的灯模块(203)。灯模块包括多个垂直定位的灯。 | ||
| 搜索关键词： | 模块化 化学 沉积 cvd 反应器 | ||
【主权项】：
1. 一种模块化半导体处理单元，包括：腔室，具有注入盖；气体面板模块，被配置成通过所述注入盖将一种或多种处理气体供应至所述腔室，其中所述气体面板模块邻近所述注入盖放置；以及灯模块，其置于所述腔室下方，所述灯模块具有多个垂直定位灯。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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