[发明专利]氮化铝块状晶体的可控掺杂方法有效
| 申请号： | 200780018103.9 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101454487A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | K·E·摩根;L·J·斯库瓦特;G·A·斯莱克 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过例如使Al丸粒与氮气反应制备高纯度的掺杂和未掺杂的化学计量比的多晶AlN陶瓷。这样的多晶AlN陶瓷可用于制备高纯度AlN单晶，可对该AlN单晶进行退火以提高其电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 块状 晶体 可控 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1. 形成多晶AlN的方法，所述方法包括步骤：在坩埚中提供包含Al的丸粒，及在反应温度和反应压力下，使丸粒与氮气反应形成多晶AlN陶瓷，其中多晶AlN陶瓷近似为化学计量比。
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