[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780018122.1 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101449384A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;桥本浩一;林将志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(15s)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域(15s)的部分的长度平缓变化的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，包括：半导体层；在所述半导体层的表面形成的第1导电型半导体区域；在所述半导体层的所述表面，在所述第1导电型半导体区域的周围形成的第2导电型半导体区域；以及与所述第1导电型半导体区域和第2导电型半导体区域接触的导电面，其中，所述半导体层包含碳化硅；所述第1导电型半导体区域和所述导电面中至少一个不是圆；所述第1导电型半导体区域和所述导电面，分别具有随着所述导电面和所述第1导电型半导体区域之间的位置匹配的偏移量从零增加到所述导电面的宽度的1/3，所述导电面的轮廓中横切所述第1导电型半导体区域的部分的长度平缓变化的形状。
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