[发明专利]用于改善快速热退火均匀性的伪形状的可变重叠有效
| 申请号： | 200780018975.5 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101454870A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A·安德森;H·S·兰迪斯;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于改善快速热退火均匀性的伪形状的可变重叠的方法、结构、服务等。一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的有限区域提供均匀温度的方法包括：通过测量该有限区域的第一部分中的第一结构的密度，确定(400)该第一部分中的第一反射率。接着，该方法通过测量该有限区域的第二部分中的第二结构的密度，确定(410)该第二部分中的第二反射率。具体地，该第一结构包括扩散填充形状(105)和多晶硅导体填充形状(115)(非有源伪结构)；并且该第二结构包括有源电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 快速 退火 均匀 形状 可变 重叠 | ||
【主权项】：
1. 一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的区域提供均匀温度的方法，所述方法包括：通过测量所述区域的第一部分中的第一结构的密度，确定所述第一部分中的第一反射率；通过测量所述区域的第二部分中的第二结构的密度，确定所述第二部分中的第二反射率；比较所述第一反射率和所述第二反射率；以及调节所述第一部分中的所述第一结构的重叠量，以使所述第一部分的所述第一反射率和所述第二部分的所述第二反射率平衡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
