[发明专利]光学半导体器件及其制造方法

摘要

一种光学半导体器件，其被提供有低浓度p型硅衬底(1)、低杂质浓度n型外延层(第二外延层)(26)、p型低杂质浓度阳极层(27)、高浓度n型阴极接触层(9)、由阳极层(27)和阴极接触层(9)构成的光电二极管(2)和形成在n型外延层(26)上的NPN晶体管(3)。通过使阳极层(27)的杂质浓度的峰值接近硅衬底(1)与n型外延层(26)之间的界面，阳极可以被基本完全耗尽。因此，可以获得高速度和高光接收灵敏度的特征，并且通过抑制来自埋层周边的自动掺杂的影响而在阳极中稳定地形成耗尽层。这样，对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。

主权项

1、一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括：被形成在第一导电类型的半导体衬底上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，所述晶体管被形成在所述第二外延层中，并且所述第一扩散层在所述半导体衬底与所述第二外延层之间的界面中具有其掺杂浓度峰值。