[发明专利]等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置无效
申请号: | 200780019181.0 | 申请日: | 2007-05-30 |
公开(公告)号: | CN101454880A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 鸿野真之;西田辰夫;中西敏雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/318;H01L21/8247;C23C16/34;C23C16/511 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置,通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化,在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时,向载置台供给高频电力,其中,该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 cvd 方法 氮化 形成 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】:
1. 一种等离子体CVD方法,其特征在于,包括:准备等离子体处理装置的工序,该等离子体处理装置设置有:能够真空排气的处理室、在所述处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过所述缝隙将所述微波产生源所产生的微波导入所述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向所述处理室内的气体供给机构、和向所述载置台供给高频电力的高频电源;将被处理基板载置在所述载置台上的工序;将含氮气体和含硅气体导入所述处理室内,利用所述微波使这些气体等离子体化,通过该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜的工序;和在沉积所述氮化硅膜时,向所述载置台供给高频电力的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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