[发明专利]用于半导体发光设备的反射电极有效
| 申请号： | 200780019248.0 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101454907A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | L·周 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在半导体发光器件上形成反射电极的方法，所述发光器件具有用于产生光的一个有源层(16)和与有源层电接触的一个包层(18)。所述的方法包括在所述的包层上沉积一个导电材料的中间层(24)，使至少一部分所述的导电材料扩散进入所述的包层。所述的方法进一步还包括在中间层上沉积一个反射层(26)，所述反射层是导电的，并且与中间层电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 发光 设备 反射 电极 | ||
【主权项】：
1、一种用于在半导体发光器件上形成反射电极的方法，所述半导体发光器件具有用于产生光的一个有源层和与有源层电接触的一个包层，所述的方法包括：-在所述的包层上沉积一个导电材料的中间层；-使至少一部分所述的导电材料扩散进入所述的包层；和-在所述的中间层上沉积一个反射层，所述的反射层是导电的，并且与所述的中间层电接触。
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