[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200780019566.7 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101455121A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 藤井照幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种在低成本下制造的具有优异可重复性的半导体器件。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤，在衬底上方形成第一电极；在衬底和第一电极上方形成绝缘层；将模子压在绝缘层上以在绝缘层中形成开口；将模子从其中形成了开口的绝缘层上分开；将其中形成了开口的绝缘层硬化从而形成隔墙；在第一电极和隔墙上方形成发光层；以及在发光层上方形成第二电极。作为形成隔墙的方法，使用纳米压印。绝缘层含有聚硅烷。氧化硅膜形成的隔墙通过UV光照射和加热形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上方形成第一电极；在衬底和第一电极上方形成含聚硅烷的绝缘层；将模子压在绝缘层上以在绝缘层中形成开口，该开口到达第一电极；将模子从其中形成了开口的绝缘层分开；将其中形成了开口的绝缘层硬化；在第一电极和绝缘层上方形成发光层；以及在发光层上方形成第二电极。
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