[发明专利]页面擦除的非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200780020353.6 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101461008A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 金镇祺 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C11/40;G11C8/08;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 勇;姜 华 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 在非易失性存储器中，可以擦除少于整块的一个或者多个页面。通过导通晶体管施加选择电压到多个所选择字线中的每一个并且通过导通晶体管施加未选择电压到所选择块的多个未选择字线中的每一个。衬底电压被施加到所选择块的衬底。可以施加公共选择电压到每一所选择字线并且施加公共未选择电压到每一未选择字线。选择和未选择电压可以被施加到选择块的任意字线。可以应用页面擦除验证操作到具有多个所擦除页面和多个未擦除页面的块。 | ||
| 搜索关键词： | 页面 擦除 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器阵列中的页面的擦除方法，所述非易失性存储器阵列具有衬底上的多个存储器单元串、越过所述串到存储器单元的页面的字线和将电压施加到每一字线的导通晶体管，所述方法包括：启用所选择块的每一导通晶体管；在所选择块的多个所选择字线的每一个，施加公共选择电压到所述导通晶体管；在所选择块的多个未选择字线的每一个，施加公共未选择电压到所述导通晶体管；并且施加衬底电压到所述所选择块的所述衬底，所述衬底电压和每一所选择字线的结果电压之间的电压差值使得所选择字线的存储器单元的页面被擦除，并且所述衬底电压和每一未选择字线的结果电压之间的电压差值低于擦除未选择字线的存储器单元的页面的电压。
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