[发明专利]通过闭合环路方法生产硅有效
| 申请号： | 200780020540.4 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101460398A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 亚科夫·E·库特索夫斯基;谢尔登·B·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 卡伯特公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的生产硅的方法包括：将气态三氯硅烷与氢反应以在基体上沉积硅并产生四氯化硅副产物，使该四氯化硅副产物气化以形成气态四氯化硅，将该气态四氯化硅转化为细粒硅，通过熔融该细粒硅而形成硅熔体，以及从该硅熔体形成固体硅。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 闭合 环路 方法 生产 | ||
【主权项】：
1. 一种生产硅的方法，包括：(a)提供气态三氯硅烷，(b)在基体的存在下、在引起硅在该基体上的沉积并产生四氯化硅副产物的温度下，使该气态三氯硅烷与氢反应，(c)使该四氯化硅副产物气化以形成气态四氯化硅，(d)将该气态四氯化硅转化为具有约200nm或者更小的平均初级粒径和约500μm或者更大的平均团聚体尺寸的细粒硅，(e)通过熔融该细粒硅而形成硅熔体，和(f)从该硅熔体形成固体硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡伯特公司，未经卡伯特公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780020540.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示设备及其驱动方法
- 下一篇：电光装置及其驱动装置
