[发明专利]在晶体管器件中利用反向短沟道效应的装置和方法

摘要

实现晶体管电路的方法包括：将第一和第二晶体管以并联方式耦合，其中第一晶体管具有对应于由反向短沟道效应引起的晶体管电压阈值曲线中的峰值的沟道长度，而第二晶体管具有较长的沟道长度并因此具有较低的阈值电压。以这种方式利用反向短沟道效应使得能够实现呈现改善线性的“复合”晶体管电路。

主权项

1、一种晶体管电路，其包括：并联的第一和第二晶体管，它们具有基本相同的作为晶体管沟道长度函数的阈值电压曲线；所述第一晶体管被配置为具有第一晶体管沟道长度，所述第一晶体管沟道长度与由反向短沟道效应引起的阈值电压曲线中的阈值电压峰值相匹配；和所述第二晶体管被配置为具有大于第一沟道长度的第二晶体管沟道长度，使得第二晶体管的阈值电压低于第一晶体管的阈值电压，因此改善晶体管电路在给定操作条件范围上的线性。