[发明专利]ZnO系半导体元件无效
| 申请号： | 200780021185.2 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101473454A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 中原健;汤地洋行;田村谦太郎;赤坂俊辅;川崎雅司;塚崎敦;大友明 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | zno 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO系半导体元件，其特征在于，在主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x<1)基板上，c轴至少向m轴方向倾斜Φm度，所述Φm满足0<Φm≤3的条件，且在所述主面形成有ZnO系半导体层。
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