[发明专利]制造热增强型的基于衬底的阵列封装的方法无效
申请号: | 200780021295.9 | 申请日: | 2007-06-05 |
公开(公告)号: | CN101467249A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | T·勒恩;M·J·B·拉莫斯;G·K·约奥;K·K·伦;R·S·撒恩·安东尼奥;A·苏巴吉奥 | 申请(专利权)人: | 宇芯(毛里求斯)控股有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 柴毅敏 |
地址: | 毛里求*** | 国省代码: | 毛里求斯;MU |
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摘要: | 一种包装一个或多个半导体器件(30)的阵列型封装(10)。该封装(10)包括绝缘衬底(12),绝缘衬底具有对置的第一侧面(14)和第二侧面(16)以及从第一侧面(14)延伸到第二侧面(16)的居中设置的孔(20),第一和第二侧面具有多个导电过孔(18)。散热块(22)具有贯穿该孔(20)的中间部分(28)、与衬底(12)的第一侧面(14)相邻的第一部分(24)、和与衬底(12)的第二侧面(16)相邻的对置的第二部分(26),第一部分(24)的横截面面积大于孔(20)的横截面面积。一个或多个半导体器件(30)接合到散热块(22)的第一部分(24)上且与导电过孔(18)相互电连接(32)。具有第一侧面(36)和对置的第二侧面(38)的散热器(34)与半导体器件(30)隔开且与散热块(22)大致平行,由此半导体器件(30)设置在散热器(34)和散热块(22)之间。模制树脂(40)封装半导体器件(30)和至少衬底(12)的第一侧面(14)、散热块(22)的第一部分(24)和散热器(34)的第一侧面(36)。 | ||
搜索关键词: | 制造 增强 基于 衬底 阵列 封装 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于包装一个或多个半导体器件(30)的阵列型封装(10),其特征在于:绝缘衬底(12),该绝缘衬底具有对置的第一侧面(14)和第二侧面(16),所述绝缘衬底(12)还具有多个导电过孔(18)和从所述第一侧面(14)延伸到所述第二侧面(16)的居中设置的孔(20);散热块(22),该散热块具有贯穿所述孔(20)的中间部分(28)、与所述第一侧面(12)相邻的第一部分(24)、和与所述第二侧面(16)相邻的对置的第二部分(26),所述第一部分(24)具有比所述孔(20)的横截面面积更大的横截面面积;一个或多个半导体器件(30),所述一个或多个半导体器件接合到所述散热块(22)的所述第一部分(24)且与所述绝缘衬底(12)的所述第一侧面(14)上的所述导电过孔(18)相互电连接(32);散热器(34),该散热器具有第一侧面(36)和对置的第二侧面(38),且与所述一个或多个半导体器件(30)间隔开并与所述散热块(22)大致平行,由此所述一个或多个半导体器件(30)设置在所述散热器(34)和所述散热块(22)之间;和模制树脂(40),该模制树脂封装所述一个或多个半导体器件(30),并至少封装所述衬底(12)的所述第一侧面(14)、所述散热块(34)的所述第一部分(36)和所述散热器(34)的所述第一侧面(36)。
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