[发明专利]用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构有效
| 申请号： | 200780021856.5 | 申请日： | 2007-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101467261A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 玛杜胡卡·沃拉;阿首克·库马尔·卡泊尔 | 申请（专利权）人： | 帝斯曼方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;南 霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型JFET的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层，并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔，并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质，并且所述杂质被置入到半导体衬底之下，从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 宽和 下降 jfet 扩展 工艺 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成结型场效应晶体管的方法，包括在半导体衬底上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层的表面上形成氮化物层；在所述绝缘材料层和所述氮化物层中蚀刻孔从而限定用于源极、漏极和栅极的区域；沉积未掺杂的多晶硅以填充所述孔；和抛光所述多晶硅，使得其与所述氮化物层的表面大致平齐。
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