[发明专利]离子束辐射装置以及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200780021880.9 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101467228A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 石川顺三;丹·尼古拉斯库;后藤康仁;酒井滋树 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有场发射电子源(10)的离子辐射装置，其中，所述场发射电子源(10)设置在离子束(2)的路径的附近并且发射电子(12)。场发射电子源(10)以一个方向设置，沿着该方向，由从电子源(10)发射的电子(12)与平行于离子束(2)的行进方向的方向所形成的入射角处于-15度至+45度的范围内(离子束(2)的内向方向是“+”，以及其外向方向是“-”)。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 辐射 装置 以及 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种离子束辐射装置，其利用从离子源抽取的离子束来辐射目标，所述离子束辐射装置包括：场发射电子源，所述场发射电子源设置在所述离子束的路径的附近并且发射电子，所述场发射电子源具有导电阴极基板、多个微小发射器以及抽取电极，其中，所述多个微小发射器形成在所述导电阴极基板上，并且所述多个微小发射器的每个都具有尖型，而所述抽取电极以形成微小间隙的方式分别围绕在所述发射器的尖端的附近，其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，在沿着该方向上，由从所述发射电子源所发射的电子与平行于所述离子束的行进方向的方向所形成的入射角处于-15度至+45度的范围内，其中，所述离子束的内向方向为“+”，并且所述离子束的外向方向为“-”。
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