[发明专利]薄膜形成方法无效
| 申请号： | 200780022302.7 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101528978A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 青峰信孝;青嶋有纪;林和志;钉宫敏洋;古保里隆 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在接近大气压的压力气氛的条件下，使用等离子体在基板上形成薄膜时，即使将电极和基板之间的间隙设定得比以往宽，也可以抑制反应气体反应而产生的微粒，且稳定地形成均质的薄膜。通过向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极(12)供给电力，从而在所述旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙中生成等离子体，使用生成的等离子体，使所供给的反应气体(G)活化而在基板(S)上形成薄膜时，使旋转电极(12)和基板(S)之间的间隙宽度为2mm～7mm，向旋转电极(12)供给频率为100kHz～1GHz的高频电力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜形成方法，它是通过在900hPa以上的压力气氛中向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极供给电力，从而在所述旋转电极和基板之间的间隙中生成等离子体，使用生成的等离子体，通过所供给的反应气体的化学反应而在基板上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，所述旋转电极和基板之间的间隙宽度为2mm～7mm，向所述旋转电极供给频率为100kHz～1MHz的高频电力。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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