[发明专利]以密闭式晶胞结构增加信道密度的次微米平面半导体功率器件有效
| 申请号： | 200780023167.8 | 申请日： | 2007-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101512773A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，其包含有数个晶体管晶胞，而每一个晶胞具有一源极与一漏极区域，位于半导体衬底上的栅极区域的两侧。一栅极电极以电极层方式形成于栅极区域顶部，以控制源极与漏极区域间传输的电流。位于该半导体衬底顶部的栅极电极层被图案化为波状的长条，以本质上增加源极与漏极区域间且越过栅极的电流传导面积。 | ||
| 搜索关键词： | 密闭式 晶胞 结构 增加 信道 密度 微米 平面 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体功率器件，其位于一半导体衬底上，特征在于，该半导体功率器件包含：数个晶体管晶胞，每一个晶体管晶胞具有一源极与一漏极区域，位于该半导体衬底上的栅极区域的两侧，其中栅极电极被形成为一位于栅极区域顶部的栅极电极层，以控制该源极与漏极区域间的电流传输；以及所述的位于半导体衬底顶部的栅极电极层被图案化为波状的长条，以实质上增加介于该源极与漏极区域间越过栅极的电流传导面积。
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