[发明专利]高硅含量的薄膜热固性材料无效
| 申请号： | 200780023234.6 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101472996A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | D·J·阿卜杜拉;张汝志 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料美国公司 |
| 主分类号： | C08L83/04 | 分类号： | C08L83/04;C08L83/06;C08L83/08;C09D183/04;C09D183/06;C09D183/08;G03F7/09;G03F7/075 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了可以用来形成薄膜热固性材料的高硅含量的树脂组合物，该薄膜热固性材料可用于形成低k介电常数材料和以及用于光刻工业的具有抗反射性能的硬掩模材料。 | ||
| 搜索关键词： | 含量 薄膜 热固性 材料 | ||
【主权项】：
1. 一种组合物，包含：(a)包含至少一种通式((A)jR1SiO(3-j)/2)的重复单元和至少一种通式((A)kR2SiO(3-k)/2)的重复单元的聚合物，其中每个R1单独地是在任何光化波长下吸收的相同或不同的发色团；每个R2单独地选自氢、烷基、烯基、环烷基和芳烷基；每个A是形成上述重复单元中任一的单体的未反应官能团；j和k各自是落入0≤j≤1和0≤k≤1的范围内的整数，R1与R2的比为约1:99至约60:40；(b)卤化物源；和(c)溶剂。
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