[发明专利]用于生产半导体级硅的装置和方法无效
| 申请号： | 200780023487.3 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101495681A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 施泰因·朱尔斯鲁德;蒂克·劳伦斯·纳斯 | 申请（专利权）人： | REC斯坎沃佛股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;樊卫民 |
| 地址： | 挪威波*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块的装置和方法，其中通过在熔融和结晶工艺的热区中使用没有氧化物的材料充分减少或除去了热区中氧的存在。所述方法可以用于任何现有工艺中，包括用于半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块结晶的工艺，比如布里奇曼工艺、块浇铸工艺和用于生长单晶硅晶体的CZ工艺。本发明还涉及用于实施该熔融和结晶工艺的装置，其中所述热区的材料中没有氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.用于生产半导体级硅锭块的方法，其中通过以下步骤充分减少或消除了热区中氧的存在：-在由氮化硅、碳化硅或这些的复合物制成的坩埚中，结晶半导体级硅锭块，任选还包括进料硅材料的熔融，-在硅锭块结晶期间，将所述坩埚容纳在具有惰性气氛的密封热区中，任选还包括进料硅材料的熔融，-在热区中使用包括热绝缘元件的承载构建元件，该承载构建元件由碳和/或石墨材料制成，和-在热区中使用由氮化硅Si3N4制成的电绝缘元件。
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