[发明专利]半导体发光元件及可变波长激光器光源有效
| 申请号： | 200780023908.2 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101479897A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 森浩;中山贵司;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 安立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01L33/00;H01S5/14;H01S5/227 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其具备可变任意波长的能力，包括：半导体基板(11)、在所述半导体基板(11)上以条状形成，且放出光及进行波导的活性层(12)、在所述活性层(12)的侧面形成的埋入层(13a，13b)、在所述活性层(12)及所述埋入层(13a，13b)的上方形成的包层(16)、在所述包层(16)上方形成的第一电极(17a)和在所述半导体基板(11)的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层(12)相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定的角度进行开口，对所述活性层(12)的光的波导方向的规定长度部分进行加热的局部加热装置(15)形成在所述第一电极(17a)的上方且在自所述一端面(14a)热独立的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 可变 波长 激光器 光源 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，包含：半导体基板(11)；活性层(12)，其在所述半导体基板上以条状形成，且放出光及进行波导；在所述活性层的侧面形成的埋入层(13a，13b)；在所述活性层及所述埋入层的上方形成的包层(16)；在所述包层上方形成的第一电极(17a)；在所述半导体基板的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定角度进行开口，其特征在于，对所述活性层的光的波导方向的规定长度部分进行加热的部分加热装置(15)，形成在所述第一电极的上方且在自所述一端面位置热独立的位置。
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