[发明专利]单晶硅的制造系统及使用该系统的单晶硅的制造方法无效
申请号: | 200780024275.7 | 申请日: | 2007-05-28 |
公开(公告)号: | CN101479411A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 饭田诚;三田村伸晃;柳町隆弘 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/22 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;郑特强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种单晶硅的制造系统,是为了使通过采用切克劳斯基法(CZ法)的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内,设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的值,控制在规定范围内的制造条件的制造系统,至少具备以下自动化的手段:手段1,根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果,暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件;手段2,根据起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的F与/或G的变化量,来算出修正量;手段3,根据起因于下一批的制造步骤而造成的F及/或G的变化量,来算出修正量;以及手段4,将依据手段2及/或上述手段3所算出的修正量,加入由手段1所设计的制造条件中,来算出下一批的制造条件。借此,可以提供一种单晶硅的制造系统及使用此制造系统之单晶硅的制造方法,能够更确实地得到具有所希望的结晶品质的单晶硅,并提高生产性和良率等。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 制造 系统 使用 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种单晶硅的制造系统,是为了使通过采用切克劳斯基法的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内,设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的比F/G的值,控制在规定范围内的制造条件的制造系统,其特征在于至少具备以下自动化的手段:手段1,根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果,暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件;手段2,先预测起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的下一批的F及/或G的变化量,然后算出修正量,使F/G的值被控制在规定范围内;手段3,先预测起因于下一批的制造步骤而造成的下一批的F及/或G的变化量,然后算出修正量,使F/G的值被控制在规定范围内;以及手段4,将依据上述手段2及/或上述手段3所算出的F及/或G的修正量,加入由上述手段1暂时设计的制造条件中,来算出下一批要制造的单晶硅的制造条件。
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